中芯国际已量产14nm工艺 计划年底前试产12nm
发布时间:2019-11-14 19:48 所属栏目:130 来源:赵华铭
导读:有媒体援引知情人士的话称,中芯国际(SMIC)已经启动了14nm FinFET工艺芯片的量产,且计划年底前进行12nm FinFET的风险试产。 据悉,本周发布Q3季度财报时,中芯国际对于先进制程表示,第一代FinFET已成功量产,四季度将贡献有意义的营收;第二代FinFET研
有媒体援引知情人士的话称,中芯国际(SMIC)已经启动了14nm FinFET工艺芯片的量产,且计划年底前进行12nm FinFET的风险试产。 据悉,本周发布Q3季度财报时,中芯国际对于先进制程表示,第一代FinFET已成功量产,四季度将贡献有意义的营收;第二代FinFET研发稳步推进,客户导入进展顺利。 据了解,12nm工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微,功耗降低20%,性能提升10%,错误率降低20%。 (编辑:ASP站长网) |
相关内容
网友评论
推荐文章
热点阅读